2SK2996

2SK2996

2SK2996

制造商: Toshiba

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10 A

Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

制造商: Toshiba

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10 A

Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

制造商: Toshiba

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10 A

Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 45 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

高度: 15.1 mm  

長度: 10.16 mm  

系列: 2SK2996  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 4.45 mm  

商標: Toshiba  

下降時間: 27 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 15 ns  

工廠包裝數(shù)量: 50  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 25 ns  

典型接通延遲時間: 5 ns  

單位重量: 6 g