深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
主營產(chǎn)品: 消費(fèi)電子, 工業(yè)控制, 汽車電子, LED, 能源控制, 家用電器, 通訊網(wǎng)絡(luò)
原裝現(xiàn)貨IRF630NPBF
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店齡6年 企業(yè)認(rèn)證
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胡海玲
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钳钶钼钶钷钹钺钷钺钹钺
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品
IRF630NPBF MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 23.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4.9 S
下降時(shí)間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.9 ns
零件號(hào)別名: SP001564792
單位重量: 6 g
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