HY27US08121B-FPCB SKhynix(海力士)NAND型閃存芯片 原廠原裝

生產(chǎn)商：SKhynix(海力士)

產(chǎn)品類別：NAND型閃存

系列：- flash memory

存儲格式：閃存

存儲技術(shù)：閃存-NAND

存儲容量：512Mb

存儲接口：并聯(lián)

存儲類型：non-volatile memory

寫周期時間 - 字，頁：

電壓-電源：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：0°C ~ 85°C

安裝類型：貼片

封裝/外殼：FBGA63

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：在售

產(chǎn)品用途：SKhynix（海力士）的NAND型閃存芯片主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)庫，云服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備，SKhynix是全球第三大存儲器產(chǎn)品供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SKhynix的SDRAM,NAND閃存,嵌入式存儲eMMC,eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

NAND型閃存的特性

NAND閃存的操作方式效率低，這和它的架構(gòu)設(shè)計和接口設(shè)計有關(guān)，它操作方式有點(diǎn)像硬盤(其實(shí)NAND閃存在設(shè)計之初確實(shí)考慮了與硬盤的兼容性)，它的性能特點(diǎn)也很像硬盤：小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快。NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)。每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁面容量，2Gb以上容量的NAND閃存則將頁容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。

NAND型閃存的擦寫方式

NAND閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個塊包含32個512字節(jié)的頁，容量16KB；而大容量閃存采用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。

NAND型閃存的接口

每顆NAND閃存的I/O接口一般是8條，每條數(shù)據(jù)線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說的512字節(jié)。但較大容量的NAND閃存也越來越多地采用16條I/O線的設(shè)計，如SAMSUNG編號K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND閃存，容量1Gb，基本數(shù)據(jù)單位是(256+8)×16bit，還是512字節(jié)。尋址時，NAND閃存通過8條I/O接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔?，每包傳?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，占用若干個時鐘周期。

NAND型閃存的尋址

NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應(yīng)的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，占用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要占用更多的時鐘周期傳輸，因此NAND閃存的一個重要特點(diǎn)就是容量越大，尋址時間越長。而且，由于傳送地址周期比其他存儲介質(zhì)長，因此NAND閃存比其他存儲介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請求。

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