標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。

靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容，通常用CL表示。

負(fù)載諧振頻率（FL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

負(fù)載諧振電阻（ESR）：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用Re表示。 Re＝R1*（1+C0/CL）^2

激勵(lì)功率：晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW

、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等