標稱頻率：晶體技術條件中規(guī)定的頻率，通常標識在產品外殼上。

工作頻率：晶體與工作電路共同產生的頻率。

調整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。

負載諧振頻率（FL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

動態(tài)電阻：串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

負載諧振電阻（ESR）：在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用Re表示。 Re＝R1*（1+C0/CL）^2

激勵功率：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW

、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等