本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：PQFN-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：120 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：4.6毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：1.8 V Qg-血漿甲醛：41 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：3.6 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：0.83毫米 長度：6 mm 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-對抗：81 S 下降時(shí)間：12 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：33 ns 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：18 ns 典型起始延遲時(shí)間：15 ns 零件號別名：IRFH8318TRPBF SP001572710 應(yīng)用領(lǐng)域 用于高頻降壓轉(zhuǎn)換器的同步MOSFET 特征 對PCB的低熱阻（<1.7°C / W） 薄型（<1.2mm） 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列 與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鉛，溴化物和鹵素 MSL1，消費(fèi)者資格認(rèn)證 好處 實(shí)現(xiàn)更好的散熱 功率密度增加 多廠商兼容性 易于制造 環(huán)保 可靠性更高 最大絕對額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 27 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 21 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 120@0 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 76@0 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 500 IDM Pulsed Drain Current CD 400 PD @TA = 25°C Power Dissipation (i) 3.6 W PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation (i) 59 Linear Derating Factor (i) 0.029 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C