本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。

制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：詳細(xì)信息
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD / SMT
封裝/箱體：PQFN-30
封裝：剪切帶
封裝：MouseReel
封裝：Reel
高度：0.75毫米
長度：6 mm
寬度：6毫米
商標(biāo)：Infineon / IR
濕度敏感性：是
產(chǎn)品類型：MOSFET
工廠包裝數(shù)量：3000
子類別：MOSFET
零件號別名：IR3555MTRPBF SP001528768
特征
集成驅(qū)動器，肖特基二極管，控制
FET和同步FET
5mV / A片上FET電流感測
具有溫度補(bǔ)償

輸入電壓（VIN）為4.5V至15V
4.5V至7V的VCC和VDRV電源
輸出電壓范圍為0.25V至5.5V
60A的輸出電流能力
高達(dá)1.0MHz的工作頻率
VCC欠壓鎖定（UVLO）
8mV / o
C溫度模擬輸出和
熱標(biāo)志上拉至3.3V
過熱保護(hù)（OTP）
逐周期對電流進(jìn)行自我保護(hù)
保護(hù)（OCP）
MOSFET相故障檢測和標(biāo)記
初步過壓保護(hù)（Pre-OVP）
兼容3.3V三態(tài)PWM輸入
Body-Braking™負(fù)載瞬態(tài)支持
通過PWM三態(tài)
二極管仿真模式（DEM）進(jìn)行了改進(jìn)
輕載效率
高效的雙面冷卻
小型6mm x 6mm x 0.9mm PQFN封裝
符合RoHS要求的無鉛封裝

應(yīng)用領(lǐng)域
高頻，高電流，薄型DCDC轉(zhuǎn)換器
適用于CPU，GPU，ASIC，
和DDR內(nèi)存陣列
描述
IR3555集成了PowIRstage®
 包含一個
集成在一起的同步降壓柵極驅(qū)動器IC
具有控制和同步MOSFET以及
肖特基二極管進(jìn)一步提高了效率。的
該封裝針對PCB布局，傳熱，
驅(qū)動器/ FET控制時序和最小的開關(guān)節(jié)點
遵循布局準(zhǔn)則時會響起。配對
柵極驅(qū)動器和FET組合可實現(xiàn)更高的
切割所需的較低輸出電壓時的效率
邊緣CPU，GPU，ASIC和DDR內(nèi)存設(shè)計。
IR3555PowIRstage®
 內(nèi)部MOSFET電流
集成溫度的傳感算法
補(bǔ)償實現(xiàn)卓越的電流感
精度與基于最佳控制器的電感器
DCR感應(yīng)方法。其他功能包括
初步過壓保護(hù)和標(biāo)志，內(nèi)部
逐周期自我保護(hù)過電流保護(hù)
和標(biāo)志，相故障標(biāo)志，過熱保護(hù)
和標(biāo)志，以及內(nèi)部包裝溫度報。
高達(dá)1.0MHz的開關(guān)頻率可實現(xiàn)高
性能瞬態(tài)響應(yīng)，允許
輸出電感器以及輸入和輸出的小型化
在保持行業(yè)領(lǐng)先的同時輸出電容器
效率。
與IR的數(shù)字控制器結(jié)合使用時，IR3555
通過PWM整合了Body-Braking™功能
三態(tài)可減少輸出電容。
還支持同步二極管仿真模式
通過內(nèi)置的ZCD_EN＃啟用的零交叉檢測
IR3555中的電路可增加系統(tǒng)輕載
效率。
IR3555針對CPU內(nèi)核功率傳輸進(jìn)行了優(yōu)化
服務(wù)器應(yīng)用程序。滿足嚴(yán)格的能力
服務(wù)器市場的需求也使得
IR3555非常適合為GPU，ASIC，DDR供電
內(nèi)存和其他大電流設(shè)計。