本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-247-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：200 V Id-連續(xù)直流電流：130 A 漏源導(dǎo)通電阻：9.7 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓：30 V Qg-萘甲酸：161 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：520 W 通道模式：增強(qiáng) 封裝：Tube 配置：單 高度：20.7毫米 長度：15.87毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon Technologies 正向跨導(dǎo)-對(duì)抗：150 S 下降時(shí)間：74 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：105 ns MOSFET工廠包裝數(shù)量：400 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：64 ns 典型中斷時(shí)間：41 ns 零件號(hào)別名：IRFP4668PBF SP001572854 單位重量：38 g 應(yīng)用領(lǐng)域 •SMPS中的高效同步整流 •不間斷電源供應(yīng) •高速電源開關(guān) •硬開關(guān)和高頻電路 好處 •改進(jìn)的門，雪崩和動(dòng)態(tài)dV / dt堅(jiān)固性 •完全表征的電容和雪崩SOA •增強(qiáng)體二極管dV / dt和dI / dt能力 •無鉛 最大絕對(duì)額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 130 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 92 IDM Pulsed Drain Current CD 520 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 520 W Linear Derating Factor 3.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 30 V dv/dt Peak Diode Recovery CT 57 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10lb·in (1.1N·m)