本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 MOSFET晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：2頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：80 V Id-連續(xù)直流電流：3.6 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：73毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V Qg-萘甲酸：15 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：2 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：雙 高度：1.75毫米 長(zhǎng)度：4.9毫米 晶體管類型：2 N溝道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-加速度：4.3 S 下降時(shí)間：17 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：10 ns 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：41 ns 典型起始延遲時(shí)間：9 ns 零件號(hào)別名：IRF7380TRPBF SP001574936 單位重量：540毫克 應(yīng)用領(lǐng)域 •高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器 •無(wú)鉛 好處 •低柵極至漏極電荷以減少開關(guān)損耗 •全面表征的電容，包括有效的COSS來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，（請(qǐng)參見應(yīng)用筆記AN1001） •全面表征雪崩電壓和電流 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 80 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 3.6 A ID @ TA = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 2.9 IDM Pulsed Drain Current CD 29 PD @TA = 25°C Maximum Power Dissipation 2.0 W Linear Derating Factor 0.02 W/°C dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ® 2.3 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C 熱阻 Parameter Typ. Max. Units RqJL Junction-to-Drain Lead ––– 42 °C/W RqJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) © ––– 62.5