本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT晶體管 RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 封裝/箱體：TO-220AB-3 安裝風(fēng)格：通孔 配置：?jiǎn)?集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO：600 V 集電極—射極飽和電壓：1.8 V 正極/發(fā)射極最大電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：18 A Pd-功率耗散：90 W IGBT晶體管最小工作溫度：-55 C IGBT晶體管最大工作溫度：+ 150 C 系列：RC 封裝：Tube 高度：16.51毫米 長(zhǎng)度：10.67毫米 寬度：4.83毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正極—射極漏泄電流：100 nA 產(chǎn)品類(lèi)型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：1000 子類(lèi)別：IGBT 商標(biāo)名：TRENCHSTOP 零件號(hào)別名：IRGB6B60KDPBF SP001532684 單位重量：6 g 特征 •低VCE（開(kāi)）非穿通IGBT技術(shù)。 •低二極管VF。 •10μs的短路能力。 •方形RBSOA。 •超軟二極管反向恢復(fù)特性。 •正VCE（on）溫度系數(shù)。 •無(wú)鉛 好處 •電機(jī)控制的基準(zhǔn)效率。 •堅(jiān)固的瞬態(tài)性能。 •低EMI。 •并聯(lián)運(yùn)行中出色的電流共享 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 600 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 18 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 10 ICM Pulsed Collector Current 26 ILM Clamped Inductive Load Current© 26 IF @ TC = 25°C Diode Continuous Forward Current 18 IF @ TC = 100°C Diode Continuous Forward Current 10 IFM Diode Maximum Forward Current 26 VGE Gate-to-Emitter Voltage ± 20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 90 w PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 36 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case)