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H5TQ4G63AFR-PBC SKhynix（海力士）DDR3存儲(chǔ)芯片 原廠原裝

生產(chǎn)商：SKhynix（海力士）

產(chǎn)品類別：集成電路-存儲(chǔ)器

系列：-

存儲(chǔ)格式：DRAM

存儲(chǔ)技術(shù)：SDRAM-DDR3

存儲(chǔ)容量：4Gb

存儲(chǔ)接口：并聯(lián)

SPEED(速度)：-

時(shí)鐘頻率：533MHz

寫入時(shí)間：-

訪問(wèn)時(shí)間：-

電壓-電源：1.425V~1.575V

工作溫度：0°C ~ 95°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-96

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：SKhynix（海力士）的DDR3存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備，是全球第二大DRAM產(chǎn)品供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SKhynix（海力士）的DRAM,NAND閃存,嵌入式存儲(chǔ)eMMC，eMCP等全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品。

DDR3

由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

價(jià)格說(shuō)明

我司在愛(ài)采購(gòu)商鋪展示的價(jià)格為指導(dǎo)價(jià)格或該商品曾經(jīng)展示的銷售價(jià)格，非原價(jià)，僅供參考。具體售價(jià)以公司銷售代表確認(rèn)的價(jià)格為準(zhǔn)。

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客戶訂購(gòu)產(chǎn)品之前請(qǐng)聯(lián)系我司銷售代表確認(rèn)產(chǎn)品的庫(kù)存數(shù)量，庫(kù)存位置，訂貨周期等相關(guān)信息。確認(rèn)信息之后由我司銷售代表通過(guò)公司系統(tǒng)生成訂單，交由客戶最后確認(rèn)簽字后生成正式訂單。