IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)
IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)
IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)
IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)
IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)
IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)

IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)

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西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司

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商品參數(shù)
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商品介紹
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品牌 天光測(cè)控
型號(hào) ST-AC1200_X
測(cè)量范圍 1200V100A
測(cè)量精度 VGE±1% ±0.2V
短路電流 2500A
測(cè)試范圍 IGBTs,MOSFETs, Diode
測(cè)試能力 Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg
產(chǎn)品用途 用于 Si/SiC/GaN 材料的MOSFET&IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試，1200V/200A的輸出能力，覆蓋幾乎所有的半導(dǎo)體分立式單管器件
商品介紹


IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)系統(tǒng)
ST-AC1200_X


用于測(cè)試器件級(jí)的 Diode,IGBT,MOSFET動(dòng)態(tài)交流參數(shù)

1200V/100A，短路電流2500A

替代ITC57300，多項(xiàng)功能及指標(biāo)優(yōu)于ITC57300

? 技術(shù)規(guī)格

基礎(chǔ)能力
  1. *大輸出能力：電壓1200V電流200A
  2. *小時(shí)間測(cè)量值：0.1ns
  3. Windows系統(tǒng)的控制計(jì)算機(jī)水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  4. LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
物理規(guī)格
  1. 單機(jī)尺寸：800×800×1800mm水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽
  2. 質(zhì) 量：165kg水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  3. 系統(tǒng)功耗：200w
ST-AC1200_S_R
開(kāi)關(guān)時(shí)間（阻性）測(cè)試單元
美軍標(biāo)750
方法為3472
  1. 脈寬：0.1us~100us步進(jìn)0.1μs
  2. 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V
  3. 柵極電流*大10A水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  4. 漏極電流*大75A（支持?jǐn)U展200A、500A）
  5. 占空比小于0.1%水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  6. VDD/漏極電壓  5V~100 V分辨率0.1V
                                 100 V~1200V分辨率1.0V
ST-AC1200_D
反向恢復(fù)特性測(cè)試單元
美軍標(biāo)750
方法3473
  1. IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率
                             50~200A@0.5A分辨率
  1. di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps
  2. VR/反向電壓：20~1200V
  3. IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內(nèi)。
  4. 占空比：＜1.0%水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  5. TRR/反向恢復(fù)時(shí)間范圍：1ns~2us
  6. VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
                                100V~1200 V，1.0V Steps
  1. Qrr/反向恢復(fù)電荷：0.1nC~100uC
ST-AC1200_Q
柵電荷測(cè)試單元   
美軍標(biāo)750，
方法3471
  1. 柵極電流：0~10mA@10uA分辨率
  2. 柵級(jí)電壓：0~20V@0.1V分辨率
  3. 漏極電流（固態(tài)負(fù)載）：1~25A@0.1A分辨率
  4. 分辨率水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  5. 漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
                         100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
開(kāi)關(guān)時(shí)間（感性）測(cè)試單元
美軍標(biāo)750，
方法3477
  1. 漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率
  2. 分辨率水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  3. 電感：0.1mH至159.9mH（外掛）
  4. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率
  5. 漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps
  6. ，1.0V Steps
ST-AC1200_S
短路特性測(cè)試單元
美軍標(biāo)750，
方法3479
  1. *大電流：標(biāo)配200A（選配1000A）
  2. 脈寬：1us~100us
  3. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率
  4. 漏極電壓5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_RC
柵電阻結(jié)電容測(cè)試單元
JEDEC Std
JESD24-11
  1. Rg/柵電阻：0.1~100Ω水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  2. 結(jié)電容參數(shù)：Ciss，Coss，Crss
  3. 漏極偏置電壓：1200V*大
  4. 柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率
  5. 頻率：標(biāo)配0.1MHZ~1MHZ
電網(wǎng)環(huán)境
  1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字


MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主要用于測(cè)試二極管、IGBT、MOS動(dòng)態(tài)特性參數(shù)，產(chǎn)品功能指標(biāo)對(duì)標(biāo)ITC57300,對(duì)標(biāo)資料如下。

 資料說(shuō)明：

  • 對(duì)比內(nèi)容：半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • 對(duì)比廠商：美國(guó)ITC公司（下文簡(jiǎn)稱ITC）、西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司（下文簡(jiǎn)稱西安天光）
  • 對(duì)比型號(hào)：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X

   MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 以ITC57300作為參考標(biāo)準(zhǔn)，西安天光的產(chǎn)品資料中“藍(lán)色字體”為西安天光的減分項(xiàng)（指標(biāo)低于ITC57300），“紅色字體”為西安天光的加分項(xiàng)（指標(biāo)高于ITC57300），“黑色字體”表示雙方指標(biāo)一致。

美國(guó)ITC公司
ITC57300		西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
ST-AC1200_X
基礎(chǔ)能力
  1. *大輸出能力：電壓1200V電流200A
  2. *小時(shí)間測(cè)量值：1.0ns
  3. Windows系統(tǒng)的控制計(jì)算機(jī)
  4. LabVIEW軟件界面
  5. 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
物理規(guī)格
  1. 高=76英寸
  2. 寬=44英寸(包括顯示器和鍵盤)
  3. 深=50英寸(包括接收器)
  4. 重=550磅
ITC57210開(kāi)關(guān)時(shí)間（阻性）
測(cè)試單元		美軍標(biāo)750
方法為3472
  1. 脈寬：0.1μs~10μs 步進(jìn)0.1μs
  2. 柵極電壓±20V分辨率0.1V
  3. 柵極電流*大1.0A
  4. 漏極電流*大200A
  5. 占空比小于0.1%
  6. VDD/漏極電壓  5V~100 V分辨率0.1V
          100 V~1200V分辨率1.0V
水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ITC57220反向恢復(fù)
特性測(cè)試單元		美軍標(biāo)750
方法3473
  1. IF/正向電流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率
  2. 分辨率
  3. di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps
  4. VR/反向電壓：20~1200V
  5. IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內(nèi)。
  6. 占空比：＜1.0%
  7. TRR/反向恢復(fù)時(shí)間范圍：10ns~2.0us
  8. VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
  1. Qrr/反向恢復(fù)電荷：1nc~100uC
  2. 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ITC57230柵電荷
測(cè)試單元		美軍標(biāo)750
方法3471
  1. 柵極電流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率
中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率
  • 20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率
  1. 柵電壓范圍：±20V@±0.1V分辨率
  2. 漏極電流（固態(tài)負(fù)載）：1~25A@0.1A分辨率
  3. 分辨率
  4. 漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ITC57240開(kāi)關(guān)時(shí)間（感性）
測(cè)試單元		美軍標(biāo)750
方法3477
  1. 漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率
  2. 分辨率
  3. 電感：0.1mH至159.9mH
  4. 柵極電壓：±20V@0.1V分辨率
  5. 漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps
  6. ，1.0V Steps
  7. 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ITC57250短路特性
測(cè)試單元		美軍標(biāo)750
方法3479
  1. *大電流：1000A
  2. 脈寬：1us~100us
  3. 柵驅(qū)電壓：±20V@0.1V分辨率
  4. 漏極電壓5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ITC57260柵電阻結(jié)電容
測(cè)試單元		JEDEC Std
JESD24-11
  1. Rg/柵電阻：0.1~50mΩ
  2. 結(jié)電容參數(shù)：Ciss，Coss，Crss
  3. 漏極偏置電壓：1200V*大
  4. 柵極偏置電壓：±20V
  5. 頻率：0.1MHZ~4MHZ
電網(wǎng)環(huán)境
  1. 220V 50~60 Hz單相  可選擇240V
  2. 220V/12A  20A  30A
  3. 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
基礎(chǔ)能力
  1. *大輸出能力：電壓1200V電流200A
  2. *小時(shí)間測(cè)量值：0.1ns
  3. Windows系統(tǒng)的控制計(jì)算機(jī)
  4. LabVIEW軟件界面
  5. 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
物理規(guī)格
  1. 單機(jī)尺寸：800×800×1800mm
  2. 質(zhì) 量：165kg
  3. 系統(tǒng)功耗：200w
ST-AC1200_S_R
開(kāi)關(guān)時(shí)間（阻性）測(cè)試單元        
美軍標(biāo)750
方法為3472
  1. 脈寬：0.1us~100us步進(jìn)0.1μs
  2. 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V
  3. 柵極電流*大10A
  4. 漏極電流*大75A（支持?jǐn)U展200A、500A）
  5. 占空比小于0.1%
  6. VDD/漏極電壓  5V~100 V分辨率0.1V
               100 V~1200V分辨率1.0V
水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ST-AC1200_D
反向恢復(fù)特性測(cè)試單元       
美軍標(biāo)750
方法3473
  1. IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率
50~200A@0.5A分辨率
  1. di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps
  2. VR/反向電壓：20~1200V
  3. IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內(nèi)。
  4. 占空比：＜1.0%
  5. TRR/反向恢復(fù)時(shí)間范圍：1ns~2us
  6. VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
  1. Qrr/反向恢復(fù)電荷：0.1nC~100uC
  2. 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ST-AC1200_Q
柵電荷測(cè)試單元   
美軍標(biāo)750，
方法3471
  1. 柵極電流：0~10mA@10uA分辨率
  2. 柵級(jí)電壓：0~20V@0.1V分辨率
  3. 漏極電流（固態(tài)負(fù)載）：1~25A@0.1A分辨率水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
  4. 漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
開(kāi)關(guān)時(shí)間（感性）測(cè)試單元
美軍標(biāo)750，
方法3477
  1. 漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率
  2. 分辨率
  3. 電感：0.1mH至159.9mH（外掛）
  4. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率
  5. 漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps
  6. ，1.0V Steps
  7. 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ST-AC1200_S
短路特性測(cè)試單元
美軍標(biāo)750，
方法3479
  1. *大電流：標(biāo)配200A（選配1000A）
  2. 脈寬：1us~100us
  3. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率
  4. 漏極電壓5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字
ST-AC1200_RC
柵電阻結(jié)電容測(cè)試單元       
JEDEC Std
JESD24-11
  1. Rg/柵電阻：0.1~100Ω
  2. 結(jié)電容參數(shù)：Ciss，Coss，Crss
  3. 漏極偏置電壓：1200V*大
  4. 柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率
  5. 頻率：標(biāo)配0.1MHZ~1MHZ（￥3W）
  6. 0.1MHZ~4MHZ（￥15W）
 水印簽字*西安天光測(cè)控*水印簽字

電網(wǎng)環(huán)境
  1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。


其它測(cè)試功能（加分項(xiàng)）
  • 雪崩特性測(cè)試單元
  • EAS
  • IAS
  • PAS
  • di/dt測(cè)試單元
  • dv/dt測(cè)試單元
  • 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試單元（可測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管的靜態(tài)直流參數(shù)）
  • 安全工作區(qū)/RBSOA
  • 熱阻（包括穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻）


產(chǎn)品系列

晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
動(dòng)態(tài)參數(shù)（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）
環(huán)境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
熱特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的  IGBTs  /  MOSFETs  /  DIODEs  /  BJTs  /  SCRs等功率器件

聯(lián)系方式
公司名稱 西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
聯(lián)系賣家 張先生
手機(jī) 䝒䝕䝑䝔䝓䝘䝖䝐䝒䝖䝗
地址 陜西省西安市
聯(lián)系二維碼