藍(lán)界科技(深圳)有限公司
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主營(yíng)產(chǎn)品: 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通訊網(wǎng)絡(luò), 航空航天, 軍事設(shè)備, 醫(yī)療機(jī)械, 精密儀器, 工控, 安防, 汽車, 手機(jī) , 電力 , 船舶 , 物聯(lián)網(wǎng) , 半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試設(shè)備等電子整機(jī)整合配套供貨的大規(guī)模生產(chǎn)能力
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張桐/蘇玥
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSONP-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 83 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.8 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 53 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
封裝: Reel
高度: 0.9 mm
長(zhǎng)度: 3.15 mm
系列: CSD17577Q3A
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3 mm
商標(biāo): Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值: 76 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 31 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4 ns
單位重量: 27.700 mg
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(英語(yǔ):Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同,可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管(NMOSFET)與P型金氧半場(chǎng)效晶體管(PMOSFET)。以金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)的命名來(lái)看,事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET跟英文單字“metal(金屬)”的第一個(gè)字母M,在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場(chǎng)效晶體管柵極使用金屬作為材料,但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,現(xiàn)代的金氧半場(chǎng)效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。金氧半場(chǎng)效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。而IGFET的柵極絕緣層,有可能是其他物質(zhì),而非金氧半場(chǎng)效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管組件時(shí)比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是金氧半場(chǎng)效晶體管。金氧半場(chǎng)效晶體管里的氧化層位于其溝道上方,依照其操作電壓的不同,這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(SiO2),不過(guò)有些新的高級(jí)制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做為氧化層之用。今日半導(dǎo)體組件的材料通常以硅為首選,但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程,當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺的混合物所發(fā)展的硅鍺制程(SiGe process)。而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs),因?yàn)闊o(wú)法在表面長(zhǎng)出品質(zhì)夠好的氧化層,所以無(wú)法用來(lái)制造金氧半場(chǎng)效晶體管組件。當(dāng)一個(gè)夠大的電位差施于金氧半場(chǎng)效晶體管的柵極與源極之間時(shí),電場(chǎng)會(huì)在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷,而這時(shí)就會(huì)形成所謂的“反轉(zhuǎn)溝道”(inversion channel)。溝道的極性與其漏極(drain)與源極相同,假設(shè)漏極和源極是n型,那么溝道也會(huì)是n型。溝道形成后,金氧半場(chǎng)效晶體管即可讓電流通過(guò),而依據(jù)施于柵極的電壓值不同,可由金氧半場(chǎng)效晶體管的溝道流過(guò)的電流大小亦會(huì)受其控制而改變。