本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術：Si 安裝風格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-263-7 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：190 A Rds漏源導通電阻：3.3毫歐 Qg-萘甲酸：150 nC 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：380 W 資質：AEC-Q101 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：4.4毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：9.25毫米 商標：Infineon / IR 產品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：800 子類別：MOSFET 零件號別名：AUIRFS4010-7TRL SP001518838 單位重量：1.600克 特征 先進的工藝技術 超低導通電阻 增強的dV / dT和dI / dT功能 175°C工作溫度 快速切換 重復雪崩允許最大Tjmax 無鉛，符合RoHS 汽車合格* 描述 這款HEXFET®功率MOSFET專為汽車應用而設計， 利用最新的處理技術，使每個硅面積的導通電阻極低。 此設計的其他功能是175°C的結溫，快速的開關 速度和改進的重復雪崩額定值。 這些功能相結合， 使該設計成為一種非常有效且可靠的器件， 可用于汽車應用以及各種其他應用。 最大絕對額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 190 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 130 IDM Pulsed Drain Current  740 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 380 W Linear Derating Factor 2.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ 330 mJ IAR Avalanche Current  See Fig.14,15, 22a, 22b A EAR Repetitive Avalanche Energy  mJ dv/dt Peak Diode Recovery ƒ 26 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300