規(guī)格書：AON6314

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AON6314

一般說明

•溝槽功率MOSFET技術(shù)

•低RDS（ON）

•低門電荷

•高電流能力

•符合RoHS和無鹵素標(biāo)準(zhǔn)

AON6314

產(chǎn)品摘要

VDS 30V

ID（VGS = 10V）85A

RDS（ON）（VGS = 10V）<2.8mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<3.5mΩ

AON6314

應(yīng)用

•計(jì)算中的DC / DC轉(zhuǎn)換器

•電信和工業(yè)中的隔離式DC / DC轉(zhuǎn)換器

•見注I

100％UIS經(jīng)過測(cè)試

100％Rg測(cè)試

AON6314

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測(cè)量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。動(dòng)力

耗散PDSM基于RθJAT≤10s，最大允許結(jié)溫為150°C。任何給定應(yīng)用程序中的值取決于

用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，采用結(jié)殼熱阻，在設(shè)置上部時(shí)更有用

使用額外散熱的情況下的耗散極限。

C.單個(gè)脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）限制= 150°C。

D.RθJA是從結(jié)到外殼RθJC和外殼到環(huán)境的熱阻抗之和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)到殼體的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在大型散熱器上的裝置測(cè)量的，假設(shè)

最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

G.最大額定電流是封裝限制的。

H.這些測(cè)試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的設(shè)備上進(jìn)行的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。

I.對(duì)于要求慢速> 1ms開啟/關(guān)閉的應(yīng)用，請(qǐng)咨詢AOS FAE以選擇正確的產(chǎn)品。

                                   深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

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