規(guī)格書：AO4435L

http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4435L.pdf

一般說明

AO4435采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS（ON）和超低低柵極電荷

具有25V柵極額定值。該設(shè)備適合用作

負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。

-RoHS兼容

-AO4435是無鹵素

產(chǎn)品摘要

AO4435

VDS = -30V

ID = -10.5A（VGS = -20V）

RDS（ON）<14mΩ（VGS = -20V）

RDS（ON）<18mΩ（VGS = -10V）

RDS（ON）<36mΩ（VGS = -5V）

100％UIS經(jīng)過測試

100％Rg測試

AO4435

A：RθJA的值是用安裝在1合2 FR-4板上的器件測量的，含2oz。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。電流額定值基于t≤10s的熱量

阻力等級(jí)。

B：重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

D.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

E.這些測試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進(jìn)行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。該

SOA曲線提供單脈沖評(píng)級(jí)。

F.電流額定值基于t≤10s的熱阻額定值。

G. EAR和IAR額定值基于低頻和占空比，以保持Tj = 25℃。

AO4435

規(guī)格FET 類型P 溝道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）30V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）10.5A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，20V不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）14 毫歐 @ 11A，20V不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10VVgs（最大值）±25V不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1400pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）3.1W（Ta）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝8-SOIC封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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