規(guī)格 AO4480

FET類型N溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時）14A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時的Rds On（最大值）11.5毫歐@ 14A，10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）3V @250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）22nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）1920pF @ 20V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝8-SOIC

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4480采用先進的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS（ON），低柵極電荷。它是ESD

受保護的。該裝置適合用作低側(cè)

切換SMPS和通用應用程序。

產(chǎn)品摘要 AO4480

VDS（V）= 40V

ID = 14A（VGS = 10V）

RDS（ON）<11.5mΩ（VGS = 10V）

RDS（ON）<15.5mΩ（VGS = 4.5V）

ESD額定值：4KV HBM

100％UIS經(jīng)過測試

100％Rg測試

AO4480

A：RθJA的值是通過安裝在1英寸2 FR-4板上的裝置測量的，其中2盎司。銅，在靜止的空氣環(huán)境中

T A = 25℃。任何給定應用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計。

B：重復額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導致環(huán)境的總和。

D.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

E.這些測試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。 SOA

曲線提供單脈沖額定值。

F.電流額定值基于t≤10s結(jié)與環(huán)境熱阻額定值。

AO4480