規(guī)格 AO4496

FET類型N溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時）10A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時的Rds On（最大值）19.5毫歐@ 10A，10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）2.5V @250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）13nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）715pF @ 15V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-SOIC

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4496采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供具有低柵極電荷的出色RDS（ON）。這個

該裝置適合用作DC-DC轉(zhuǎn)換器

應(yīng)用。

AO4496

產(chǎn)品摘要

VDS（V）= 30V

ID = 10A（VGS = 10V）

RDS（ON）<19.5mΩ（VGS = 10V）

RDS（ON）<26mΩ（VGS = 4.5V）

100％UIS經(jīng)過測試

100％Rg測試

AO4496

A：RθJA的值是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz來測量的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B：重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

D.使用t≤300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

E.這些測試是在裝有2英寸2英寸FR-4板的設(shè)備上進(jìn)行的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。 SOA

曲線提供單脈沖額定值。

F.電流額定值基于t≤10s的熱阻額定值。

G. EAR和IAR額定值基于低頻和占空比，以保持Tj = 25℃。