FET類型N和P溝道互補(bǔ)型

FET功能標(biāo)準(zhǔn) AO4606L

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）6A

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）30毫歐@ 6A，10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）2.4V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）6nC @ 10V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）310pF @ 15V

功率 - 最大值2W

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4606采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

MOSFET提供出色的RDS（ON）和低柵極

收費(fèi)?；パa(bǔ)MOSFET可用于

形成一個(gè)水平移位的高側(cè)開關(guān)，并為一個(gè)主機(jī)

其他應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要

AO4606L

N通道P通道

VDS = 30V -30V

ID = 6A（VGS = 10V）-6.5A（VGS = -10V）

RDS（ON）RDS（ON）

<30mΩ（VGS = 10V）<28mΩ（VGS = -10V）

<42mΩ（VGS = 4.5V）<44mΩ（VGS = -4.5V）

100％UIS測試100％UIS測試

100％Rg測試100％Rg測試

AO4606L

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)到環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

AO4606L