規(guī)格

AO4840

FET類型2個(gè)N溝道（雙）

FET功能邏輯電平門

漏源電壓（VDSS）40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）6A

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）30毫歐@ 6A，10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）3V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）10.8nC @ 10V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）650pF @ 20V

功率 - 最大值2W

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4840采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

MOSFET提供出色的RDS（ON）和低柵極

收費(fèi)。該雙設(shè)備適合用作負(fù)載

開關(guān)或PWM應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要

AO4840

VDS 40V

ID（VGS = 10V）6A

RDS（ON）（VGS = 10V）<30mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<38mΩ

100％UIS經(jīng)過測(cè)試

100％Rg測(cè)試

AO4840

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測(cè)量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)到環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測(cè)得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。