規(guī)格 AO4803A

FET類型2個P溝道（雙）

FET功能邏輯電平門

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時）5A

不同Id，Vgs時的Rds On（最大值）46毫歐@ 5A，10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）2.5V @250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）11nC @ 10V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）520pF @ 15V

功率 - 最大值2W

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明 AO4803A

AO4803A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供具有低柵極電荷的出色RDS（ON）。這個

該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要 AO4803A

VDS -30V

ID（VGS = -10V）-5A

RDS（ON）（VGS = -10V）<46mΩ

RDS（ON）（VGS = -4.5V）<74mΩ

AO4803A

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)至環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。