規(guī)格

AO4482

FET類型N溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時）6A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時的Rds On（最大值）37毫歐@ 6A，10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）2.7V @250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）44nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）2000pF @ 50V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

AO4482

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-SOIC

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4482結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET

技術(shù)采用低阻抗封裝提供

極低的RDS（ON）。該器件非常適合增強(qiáng)

用于消費(fèi)者的轉(zhuǎn)換器和同步整流器，

電信，工業(yè)電源和LED背光。

產(chǎn)品摘要

VDS 100V

ID（VGS = 10V）6A

RDS（ON）（VGS = 10V）<37mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<42mΩ

100％UIS經(jīng)過測試

100％Rg測試

AO4482

A.使用安裝在1in2上的設(shè)備測量RθJA的值

FR-4板，2盎司。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)點(diǎn)到環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2上的器件測量的

FR-4板用

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖ratin g。