

深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司
店齡6年 ·
企業(yè)認(rèn)證 ·
廣東省深圳市
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深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司
主營產(chǎn)品: 電子元器件專業(yè)供應(yīng)商, 未上產(chǎn)品訂貨中可預(yù)訂, AD亞德諾, MPS美國芯源, RM杭州瑞盟, AOS美國萬代, ADS韓國觸摸, DIODES美臺, TI德州儀器
AO4482-100V-6A-SOP8
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經(jīng)營模式
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規(guī)格
AO4482
FET類型N溝道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(VDSS)100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C時)6A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大Rds On,最小Rds On)4.5V,10V
不同Id,Vgs時的Rds On(最大值)37毫歐@ 6A,10V
不同Id時的Vgs(th)(最大值)2.7V @250μA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)(最大值)44nC @ 10V
的Vgs(最大值)±20V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值)2000pF @ 50V
FET功能 -
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)的
工作溫度-55°C~150°C(TJ)
AO4482
安裝類型表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC(0.154“,3.90mm寬)
一般說明
AO4482結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET
技術(shù)采用低阻抗封裝提供
極低的RDS(ON)。該器件非常適合增強(qiáng)
用于消費(fèi)者的轉(zhuǎn)換器和同步整流器,
電信,工業(yè)電源和LED背光。
產(chǎn)品摘要
VDS 100V
ID(VGS = 10V)6A
RDS(ON)(VGS = 10V)<37mΩ
RDS(ON)(VGS = 4.5V)<42mΩ
100%UIS經(jīng)過測試
100%Rg測試
AO4482
A.使用安裝在1in2上的設(shè)備測量RθJA的值
FR-4板,2盎司。銅,在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該
任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。
B.功耗PD基于TJ(MAX)= 150°C,使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。
C.重復(fù)額定值,脈沖寬度受結(jié)溫TJ(MAX)= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持
initialTJ = 25°C。
D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。
E.使用<300μs脈沖,占空比最大0.5%獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。
F.這些曲線基于結(jié)點(diǎn)到環(huán)境的熱阻抗,該阻抗是通過安裝在1in2上的器件測量的
FR-4板用
2盎司銅,假設(shè)最高結(jié)溫TJ(MAX)= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖ratin g。

