規(guī)格

FET類型P溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）12V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）11A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）1.8V，4.5V

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）16毫歐@ 11A，4.5V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）1V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）47nC @ 4.5V

的Vgs（最大值）±8V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）4750pF @ 6V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-SOIC

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4437采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供

出色的RDS（ON），低柵極電荷和柵極操作

電壓低至1.8V。該設(shè)備適合用作

負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。它受到ESD保護(hù)。

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4437是無鉛的（符合ROHS和Sony

259規(guī)格）。 AO4437L是綠色產(chǎn)品訂購

選項(xiàng)。 AO4437和AO4437L在電氣上完全相同。

特征

VDS（V）= -12V

ID = -11 A（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<16mΩ（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<20mΩ（VGS = -2.5V）

RDS（ON）<25mΩ（VGS = -1.8V）

ESD額定值：4KV HBM

A：RθJA的值是使用安裝在1英寸2 FR-4板上的設(shè)備測量的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。電流額定值基于t≤10s的熱阻

評分。

B：重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

D.使用80μs脈沖獲得圖1至6,12,14中的靜態(tài)特性，占空比最大為0.5％。

E.這些測試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進(jìn)行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。該

SOA曲線提供單脈沖評級。