一般說明

AO3434A結(jié)合了先進的溝槽MOSFET

技術(shù)采用低阻抗封裝提供

極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)

和電池保護應用。

產(chǎn)品摘要:AO3434A

VDS 30V

ID（VGS = 10V）4A

RDS（ON）（VGS = 10V）<52mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<60mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<78mΩ

典型ESD保護HBM 3A級

AO3434A

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)到環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

AO3434A

規(guī)格FET 類型N 溝道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）30V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）52 毫歐 @ 4A，10V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）10nC @ 10VVgs（最大值）±12V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）245pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）1.4W（Ta）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應商器件封裝SOT-23-3L