深圳市宏源世紀科技有限公司
店齡6年 · 企業(yè)認證 · 廣東省深圳市
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AO3434A-30V-4A-SOT23
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店齡6年 企業(yè)認證
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經(jīng)營模式
經(jīng)營批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
一般說明
AO3434A結(jié)合了先進的溝槽MOSFET
技術(shù)采用低阻抗封裝提供
極低的RDS(ON)。該器件非常適合負載開關(guān)
和電池保護應用。
產(chǎn)品摘要:AO3434A
VDS 30V
ID(VGS = 10V)4A
RDS(ON)(VGS = 10V)<52mΩ
RDS(ON)(VGS = 4.5V)<60mΩ
RDS(ON)(VGS = 2.5V)<78mΩ
典型ESD保護HBM 3A級
AO3434A
A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅,在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該
任何給定應用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計。
B.功耗PD基于TJ(MAX)= 150°C,使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。
C.重復額定值,脈沖寬度受結(jié)溫TJ(MAX)= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持
initialTJ = 25°C。
D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導致環(huán)境的總和。
E.使用<300μs脈沖,占空比最大0.5%獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。
F.這些曲線基于結(jié)到環(huán)境的熱阻抗,該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。
2盎司銅,假設(shè)最高結(jié)溫TJ(MAX)= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。
AO3434A
規(guī)格FET 類型N 溝道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss)30V電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)4A(Ta)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)52 毫歐 @ 4A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10VVgs(最大值)±12V不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)245pF @ 15VFET 功能-功率耗散(最大值)1.4W(Ta)工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝供應商器件封裝SOT-23-3L