一般說明

AO3423采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供

出色的RDS（ON），低柵極電荷和柵極操作

電壓低至2.5V。該設(shè)備適合用作

負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要AO3423

VDS -20V

ID（VGS = -10V）-2A

RDS（ON）（VGS = -10V）<92mΩ

RDS（ON）（VGS = -4.5V）<118mΩ

RDS（ON）（VGS = -2.5V）<166mΩ

典型的ESD保護(hù)HBM Class 2

AO3423

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測(cè)量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)至環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測(cè)得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

AO3423

規(guī)格FET 類型P 溝道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）20V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）2A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）92 毫歐 @ 2A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）1.4V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）6.6nC @ 4.5VVgs（最大值）±12V不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）620pF @ 10VFET 功能-功率耗散（最大值）1.4W（Ta）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3L