AO3420 SOT-23 20V 6A N 溝道 場效應(yīng)管
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AO3420-SOT-23-20V-6A

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型號 AO3420
品牌 AOS/萬代
封裝 SOT-23
批號 新年份
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
數(shù)量,漏源電壓（Vdss） 8000000,20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id） 6A（Ta）
驅(qū)動電壓 1.8V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On 24 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th） 1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 8.8nC @ 4.5V
Vgs ±12V
不同 Vds 時的輸入電容 630pF @ 10V
功率耗散 1.4W（Ta）
商品介紹

一般說明

AO3420采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供

出色的RDS（ON），低柵極電荷和柵極操作

電壓低至1.8V，同時保持12V VGS（MAX）

評分。該裝置適合用作單向裝置

或雙向負(fù)載開關(guān)。

產(chǎn)品摘要

AO3420

VDS 20V

ID（VGS = 10V）6A

RDS（ON）（VGS = 10V時）<24mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<27mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<42mΩ

RDS（ON）（VGS = 1.8V）<55mΩ

AO3420

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)到環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

AO3420

規(guī)格FET 類型N 溝道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）20V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，10V不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）24 毫歐 @ 6A，10V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）8.8nC @ 4.5VVgs（最大值）±12V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）630pF @ 10VFET 功能-功率耗散（最大值）1.4W（Ta）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3L



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