區(qū)別：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。

NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

Z5U電容器

Z5U電容器稱(chēng)為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。

盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

封 裝 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:

工作溫度范圍10℃ --- 85℃

溫度特性 22% ---- -56%

介質(zhì)損耗 最大 4%

貼片電容容值偏低？怎么解決？

1、量測(cè)儀器差異對(duì)量測(cè)結(jié)果的影響對(duì)策：

在測(cè)量貼片電容容值時(shí)將儀器調(diào)校并將儀器的設(shè)定電壓與實(shí)際加在產(chǎn)品兩端所測(cè)電壓盡量調(diào)整,使實(shí)際加載在待測(cè)物上的電壓和輸出電壓一致。

2、測(cè)試條件對(duì)量測(cè)結(jié)果的影響的對(duì)策：

對(duì)于不同容值的貼片電容會(huì)采用不同的測(cè)試電壓和測(cè)試頻率來(lái)量測(cè)其容值。

3、量測(cè)環(huán)境條件對(duì)量測(cè)結(jié)果的影響的解決對(duì)策：

將產(chǎn)品放置在20℃的環(huán)境下一段時(shí)間,使材料在較穩(wěn)定的測(cè)試環(huán)境下再進(jìn)行測(cè)試。

4、MLCC產(chǎn)品材料老化現(xiàn)象的解決對(duì)策：

高溫烘烤：將測(cè)試容量偏低的產(chǎn)品放置在環(huán)境溫度為：150℃條件下烘烤1hour。然后在常溫25℃下放置24小時(shí)，再行測(cè)試，容值將恢復(fù)到正常規(guī)格范圍內(nèi)；

或者將測(cè)試容量偏低的產(chǎn)品浸至錫爐或過(guò)回流焊后，再進(jìn)行測(cè)試，容值將恢復(fù)到正常規(guī)格范圍內(nèi)。