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主營(yíng)產(chǎn)品: 深圳市國(guó)芯威科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事半導(dǎo)體集成電路銷(xiāo)售與服務(wù)的獨(dú)立分銷(xiāo)機(jī)構(gòu)。
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閃存結(jié)合了EPROM的高密度和EEPROM結(jié)構(gòu)的變通性的優(yōu)點(diǎn)。
EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過(guò)特殊手段擦去,然后重新寫(xiě)入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路,簡(jiǎn)稱(chēng)為FAMOS。它與MOS電路相似,是在N型基片上生長(zhǎng)出兩個(gè)高濃度的P型區(qū),通過(guò)歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個(gè)多晶硅柵極浮空在 絕緣層中,與四周無(wú)直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮空柵極是否帶電來(lái)表示存1或者0,浮空柵極帶電后(例如負(fù)電荷),就在其下面,源極和漏極之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道,使MOS管導(dǎo)通,即表示存入0.若浮空柵極不帶電,則不能形成導(dǎo)電溝道,MOS管不導(dǎo)通,即存入1。
EEPROM基本存儲(chǔ)單元電路的工作原理如圖2.2所示。與EPROM相似,它是在EPROM基本單元電路的浮空柵極的上面再生成一個(gè)浮空柵,前者稱(chēng)為第一級(jí)浮空柵,后者稱(chēng)為第二級(jí)浮空柵??山o第二級(jí)浮空柵引出一個(gè)電極,使第二級(jí)浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓,第一浮空柵極與漏極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng),使電子注入第一浮空柵極,即編程寫(xiě)入。若使VG為負(fù)電壓,強(qiáng)使第一浮空柵極的電子散失,即擦除。擦除后可重新寫(xiě)入。
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