NAND閃存MT29F1G08ABADAH4:D
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產(chǎn)品種類(lèi) NAND閃存
系列 MT29F
封裝 Tray
產(chǎn)品 NAND Flash
商標(biāo) Micron
產(chǎn)品類(lèi)型 NAND Flash
數(shù)量 1260
數(shù)量 3600
商品介紹
產(chǎn)品屬性屬性值搜索類(lèi)似制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類(lèi):NAND閃存RoHS: 詳細(xì)信息 系列:MT29F封裝:Tray產(chǎn)品:NAND Flash 商標(biāo):Micron 產(chǎn)品類(lèi)型:NAND Flash 工廠包裝數(shù)量:1260 子類(lèi)別:Memory & Data StorageNAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

閃存結(jié)合了EPROM的高密度和EEPROM結(jié)構(gòu)的變通性的優(yōu)點(diǎn)。

EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過(guò)特殊手段擦去,然后重新寫(xiě)入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路,簡(jiǎn)稱(chēng)為FAMOS。它與MOS電路相似,是在N型基片上生長(zhǎng)出兩個(gè)高濃度的P型區(qū),通過(guò)歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個(gè)多晶硅柵極浮空在 絕緣層中,與四周無(wú)直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮空柵極是否帶電來(lái)表示存1或者0,浮空柵極帶電后(例如負(fù)電荷),就在其下面,源極和漏極之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道,使MOS管導(dǎo)通,即表示存入0.若浮空柵極不帶電,則不能形成導(dǎo)電溝道,MOS管不導(dǎo)通,即存入1。

EEPROM基本存儲(chǔ)單元電路的工作原理如圖2.2所示。與EPROM相似,它是在EPROM基本單元電路的浮空柵極的上面再生成一個(gè)浮空柵,前者稱(chēng)為第一級(jí)浮空柵,后者稱(chēng)為第二級(jí)浮空柵??山o第二級(jí)浮空柵引出一個(gè)電極,使第二級(jí)浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓,第一浮空柵極與漏極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng),使電子注入第一浮空柵極,即編程寫(xiě)入。若使VG為負(fù)電壓,強(qiáng)使第一浮空柵極的電子散失,即擦除。擦除后可重新寫(xiě)入。
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公司名稱(chēng) 深圳國(guó)芯威科技有限公司
聯(lián)系賣(mài)家 趙小姐 (QQ:2355619871)
電話 莸莾莵获莼莶莶莾莸莸莾
手機(jī) 莸莾莵获莼莶莶莾莸莸莾
傳真 莵莽莻莻-莹莼获莽获莾莺莼-莶莹莽莾莸莵莼莵
網(wǎng)址 http://www.hkyxyjt.com
地址 廣東省深圳市