規(guī)格書：AOD4286

規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 4A（Ta），14A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 68 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.9V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 390pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），30W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

AOD4286 AOD4286

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