場(chǎng)效應(yīng)管MOS管SUM110P06-07L-E3詳細(xì)規(guī)格

場(chǎng)效應(yīng)管MOS管

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK

系列：TrenchFET?

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250μA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：345nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：11400pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝 ：帶卷 

穩(wěn)壓MOS管制造商: Vishay

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)管MOS管RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 110 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V

Qg-柵極電荷: 230 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 375 mW

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

系列: SUM  

晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S  

下降時(shí)間: 50 ns  

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET  

上升時(shí)間: 25 ns  

工廠包裝數(shù)量: 800  

子類(lèi)別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 110 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 20 ns  

零件號(hào)別名: SUM110P06-07L  

單位重量: 2 g  

場(chǎng)效應(yīng)管MOS管SUM110P06-07L-E3

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