動態(tài)隨機存取存儲器MT41K512M8RH-125:E
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產品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器
封裝 FBGA-78
系列 MT41K
商標: Micron
安裝風格 SMD/SMT
產品類型 DRAM
數量 1800
商品介紹
本詞條由“科普中國”科學百科詞條編寫與應用工作項目 審核 。動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數據后,縱使不刷新也不會丟失記憶。動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數據后,縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比,DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理,相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣,由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設備。 [1]

DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣?;镜牟僮鳈C制分為讀(Read)和寫(Write),讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半,然后在把晶體管打開讓BL和電容產生電荷共享的現象,若內部存儲的值為1,則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半,反之,若內部存儲的值為0,則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半,得到了BL的電壓后,在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開,若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓,若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。 [1]


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公司名稱 深圳國芯威科技有限公司
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地址 廣東省深圳市