NE5230DR2G 運(yùn)算放大器 SOIC-8貼片
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NE5230DR2G 運(yùn)算放大器 SOIC-8貼片

NE5230DR2G-運(yùn)算放大器-SOIC-8貼片

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訂貨量(個(gè))

¥0.10

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聯(lián)系人 小琳/顏娜/小蔡

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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
每個(gè)通道的輸出電流 6 mA
產(chǎn)品種類(lèi): 運(yùn)算放大器
封裝 SOIC-8
電源電壓-最大 15 V
雙重電源電壓 +/- 3 V, +/- 5 V
數(shù)量 10000
商品介紹



 NE5230DR2G




 NE5230DR2G




 NE5230DR2G


深圳市安富世紀(jì)電子有限公司是國(guó)際知名的電子元器件通路商。公司經(jīng)過(guò)多年的努力,我們已成為中國(guó)最大的電子產(chǎn)品授權(quán)分銷(xiāo)商之一, 擁有國(guó)內(nèi)國(guó)際各類(lèi)型客戶一千多家,公司在臺(tái)灣、香港、北京及深圳等地開(kāi)設(shè)了分支機(jī)構(gòu),在馬來(lái)西亞設(shè)有中轉(zhuǎn)倉(cāng)庫(kù).
安富世紀(jì)不斷尋求業(yè)內(nèi)最優(yōu)秀的人才,以完善的優(yōu)質(zhì)服務(wù)系統(tǒng),持續(xù)優(yōu)化前端營(yíng)銷(xiāo)與后勤支持團(tuán)隊(duì),扮演產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈專業(yè)合作伙伴,提供創(chuàng)造需求(Demand Creation)、交鑰匙解決方案(Turnkey Solution)、技術(shù)支持、倉(cāng)儲(chǔ)物流與IC電子商務(wù)等增值服務(wù),滿足原始備制造商(OEM)、原始設(shè)計(jì)制造商(ODM)、電子制造服務(wù)商(EMS)及中小型企業(yè)等不同客戶需求!


 NE5230DR2G

 產(chǎn)品屬性

 屬性值

 搜索類(lèi)似

 制造商:

 ON Semiconductor

 產(chǎn)品種類(lèi):

 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放

 RoHS:

  詳細(xì)信息

 安裝風(fēng)格:

 SMD/SMT

 封裝 / 箱體:

 SOIC-8

 電源電壓-最大:

 15 V

 每個(gè)通道的輸出電流:

 6 mA

 通道數(shù)量:

 1 Channel

 GBP-增益帶寬產(chǎn)品:

 250 kHz

 SR - 轉(zhuǎn)換速率 :

 0.09 V/us

 CMRR - 共模抑制比:

 85 dB

 Ib - 輸入偏流:

 150 nA

 Vos - 輸入偏置電壓 :

 3 mV

 電源電壓-最小:

 1.8 V

 工作電源電流:

 110 uA

 最小工作溫度:

 0 C

 最大工作溫度:

 + 70 C

 關(guān)閉:

 No Shutdown

 系列:

 NE5230

 封裝:

 Cut Tape

 封裝:

 MouseReel

 封裝:

 Reel

 放大器類(lèi)型:

 Low Voltage Amplifier

 高度:

 1.5 mm (Max)

 長(zhǎng)度:

 5 mm (Max)

 產(chǎn)品:

 Operational Amplifiers

 電源類(lèi)型:

 Single, Dual

 技術(shù):

 Bipolar

 寬度:

 4 mm (Max)

 商標(biāo):

 ON Semiconductor

 雙重電源電壓:

 +/- 3 V, +/- 5 V

 en - 輸入電壓噪聲密度:

 60 nV/sqrt Hz

 最大雙重電源電壓:

 +/- 7.5 V

 最小雙重電源電壓:

 +/- 0.9 V

 工作電源電壓:

 1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V

 Pd-功率耗散:

 500 mW (1/2 W)












聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
聯(lián)系賣(mài)家 小琳/顏娜/小蔡 (QQ:611284370)
電話 莵莽莻莻-莶莾莹莼莼莽莶莼
手機(jī) 莸莾莻莹莶获莾莶莾获获
傳真 莵莽莻莻-莺莺莶莶莾莹莾莵
地址 廣東省深圳市