本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：75 V Id-連續(xù)直流電流：80 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：12.6毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：89 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：200 W 通道模式：增強(qiáng) 封裝：Tube 配置：?jiǎn)?高度：15.65毫米 長(zhǎng)度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 類型：汽車MOSFET 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 下降時(shí)間：49 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：80 ns 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns 典型起始延遲時(shí)間：12 ns 零件號(hào)別名：IRF3007PBF SP001571144 單位重量：6 g 典型應(yīng)用 •工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 特征 •超低導(dǎo)通電阻 •175°C工作溫度 •快速切換 •重復(fù)雪崩允許最大Tjmax •無(wú)鉛 描述 HEXFET®功率MOSFET的這種設(shè)計(jì)利用最新的 處理技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)每硅面積的極低導(dǎo)通電阻。 該HEXFET功率MSFET的其他功能是結(jié)溫為175°C， 開關(guān)速度快，重復(fù)雪崩額定值得到了提高。 這些結(jié)合在一起使該設(shè)計(jì)成為一種極其有效和 可靠的設(shè)備，可用于多種應(yīng)用。 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon limited) 80 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig.9) 56 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package limited) 75 IDM Pulsed Drain Current CD 320 PD @TC = 25°C Power Dissipation 200 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0 280 mJ EAS (6 sigma) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value0 946 IAR Avalanche CurrentCD See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy® mJ TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 1.1 (10) N•m (lbf•in)