存儲器 SST39VF010-70-4C-NHE
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-存儲器-SST39VF010-70-4C-NHE

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聯(lián)系人 趙小姐

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商品介紹
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封裝 PLCC-32
存儲容量 1 Mbit
組織 128 k x 8
數(shù)據(jù)總線寬度 8 bit
電源電壓-最小 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電流—最大值: 20 mA
最大工作溫度: + 70 C
高度 2.84 (Max) mm
長度: 14.05 (Max) mm
數(shù)量 6800
商品介紹

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),存儲元,它可存儲一個二進(jìn)制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元,每個存儲單元可存放一個字節(jié)(按字節(jié)編址)。每個存儲單元的位置都有一個編號,即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。假設(shè)一個存儲器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示2的20次方,即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié),則該存儲器的存儲容量為1MB。


動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線,而地址引腳只有8條。為了形成64K地址,必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上,借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲單元,鎖存信號也靠著外部地址電路產(chǎn)生。當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時,CPU首先將行地址加在A0-A7上,而后送出RAS鎖存信號,該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS鎖存信號,也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1,則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時,行列地址先后將R存儲器芯片AS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部,然后,WE有效,加上要寫入的數(shù)據(jù),則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。由于電容不可能長期保持電荷不變,必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作,以保持電荷穩(wěn)定,這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時器8253的計數(shù)器1,每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求,該請求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時,DMA控制器送出到刷新地址信號,對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作,每讀一次刷新一行
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳國芯威科技有限公司
聯(lián)系賣家 趙小姐 (QQ:2355619871)
電話 䝒䝐䝑䝖䝔䝕䝕䝐䝒䝒䝐
手機(jī) 䝒䝐䝑䝖䝔䝕䝕䝐䝒䝒䝐
傳真 䝑䝗䝏䝏-䝓䝔䝖䝗䝖䝐䝘䝔-䝕䝓䝗䝐䝒䝑䝔䝑
網(wǎng)址 http://www.hkyxyjt.com
地址 廣東省深圳市