很多客戶買到貼片電容回去測(cè)試以后發(fā)現(xiàn)貼片電容的容值就有偏低的現(xiàn)象，這時(shí)可能會(huì)會(huì)認(rèn)為我們存在欺騙買家的行為，其實(shí)不是的。下面我們來(lái)分析一下貼片電容的容值為什么會(huì)偏低？導(dǎo)致貼片電容偏低的因素有什么？下面我們一起來(lái)分析一下。

  1. 測(cè)試條件對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響

  對(duì)于貼片電容偏低的我們可以考慮一下測(cè)試條件對(duì)貼片電容容值的影響。對(duì)于不同容值的貼片電容需要采用不同的測(cè)試條件來(lái)測(cè)量容值，主要在測(cè)試電壓的設(shè)定和測(cè)試頻率的設(shè)定上有區(qū)別，貼片電容不同容值的測(cè)試條件為：

  電容AC電壓頻率

  容量＞10uF 1.0±0.2Vrms 120Hz

  1000pF＜容量≤10uF 1.0±0.2Vrms 1KHz

  容量≤1000pF 1.0±0.2Vrms 1MHz

  2. 測(cè)量?jī)x器的差異對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響

  大容量的電容（指1uF以上的容值）測(cè)量時(shí)更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象，造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電壓兩端的實(shí)際電壓不能達(dá)到測(cè)試條件所需求的電壓，這是因?yàn)榧釉陔娙輧啥说臏y(cè)試電壓由于儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實(shí)際顯示的設(shè)定電壓不一致。為了使測(cè)量結(jié)果誤差降，我們建議將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實(shí)際加在電容兩端所測(cè)的電壓盡量調(diào)整，使實(shí)際于待測(cè)電容上輸出的電壓一致。

當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉0.1uf時(shí)，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越大越好。

 電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

 損耗電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。

 各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。

 在直流電場(chǎng)的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場(chǎng)的作用下。

電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過(guò)程有關(guān)。

 頻率特性隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。

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電容器的充放電特性

利用電容器的充放電特性來(lái)實(shí)現(xiàn)控制時(shí)間的目的。時(shí)間的長(zhǎng)短由R3，RP及C來(lái)確定。

 當(dāng)開(kāi)頭S閉合時(shí)，電源通過(guò)R3,RP向C充電。當(dāng)C上的電壓達(dá)到一定幅值時(shí),VT1導(dǎo)通，C上的電荷經(jīng)VT1,E,B1端和R2放電。

 觸發(fā)晶閘管VT2導(dǎo)通，繼電器K得電工作，其觸點(diǎn)將控制被電路工作。

 計(jì)時(shí)：電容器電容器與電阻器配合使用,確定電路的時(shí)間常數(shù)。

調(diào)諧：對(duì)與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧,比如手機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)。

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