本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術：Si 安裝風格：SMD / SMT 封裝/箱體：PQFN-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：40 V Id-連續(xù)直流電流：201 A Rds漏源導通電阻：1.4毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：2.2 V Qg-萘甲酸：70 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：125 W 通道模式：增強 商標名：StrongIRFET 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：0.83毫米 長度：6 mm MOSFET晶體管類型：1 N溝道 寬度：5毫米 商標：Infineon / IR 正向跨導-對抗：113 S 下降時間：34 ns 產品類型：MOSFET 上升時間：25 ns 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 典型關閉延遲時間：65 ns 典型起始延遲時間：9.2 ns 零件號別名：IRF40H210 SP001571340 應用 有刷電機驅動器應用 BLDC電機驅動器應用 電池供電的電路 半橋和全橋拓撲 同步整流器的應用 諧振模式電源 ORing和冗余電源開關 DC/ DC和AC / DC轉換器 DC/ AC逆變器 好處 改進了Gate，雪崩和動態(tài)dV / dt堅固性 全面表征的電容和雪崩SOA 增強的體二極管dV / dt和dI / dt能力 無鉛，符合RoHS 最大絕對額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 201 A ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 127 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V(Wire Bond Limited) 100 IDM Pulsed Drain Current  400* PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 125 W Linear Derating Factor 1.0 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C