FDMS7680 FDMS7680 FDMS7680 FDMS7680

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: Power-56-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 14 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: PowerTrench

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.1 mm  

長度: 6 mm  

系列: FDMS7680  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: Power Trench MOSFET  

寬度: 5 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 85 S  

下降時間: 3 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 4 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 21 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns  

單位重量: 68.100 mg

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: Power-56-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 14 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: PowerTrench

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.1 mm  

長度: 6 mm  

系列: FDMS7680  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: Power Trench MOSFET  

寬度: 5 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 85 S  

下降時間: 3 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 4 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 21 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns  

單位重量: 68.100 mg