本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：40 V Id-連續(xù)直流電流：95 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：3.6毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：2.2 V Qg-萘甲酸：68 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：83 W 通道模式：增強 商標(biāo)名：StrongIRFET 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-對抗：170 S 下降時間：19 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：35 ns 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：25 ns 典型起始延遲時間：7.8 ns 零件號別名：IRF40B207 SP001564728 MOSFET單位重量：6 g 應(yīng)用 有刷電機驅(qū)動應(yīng)用 BLDC電機驅(qū)動應(yīng)用 電池供電電路 半橋和全橋拓撲 同步整流器的應(yīng)用 諧振模式電源 ORing和冗余電源開關(guān) DC/ DC和AC / DC轉(zhuǎn)換器 DC/ AC逆變器 好處 改進了Gate，雪崩和動態(tài)dV / dt堅固性 完全表征的電容和雪崩SOA 增強體二極管dV / dt和dI / dt能力 無鉛* 符合RoHS，無鹵素 最大絕對額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 95 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 67 IDM Pulsed Drain Current  380 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 83 W Linear Derating Factor 0.56 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V TJ Operating Junction and -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m)