K4P2E304EB-PGC2 SAMSUNG(三星電子)LPDDR2  原廠原裝

生產(chǎn)商：SAMSUNG

規(guī)格型號：K4P2E304EB-PGC2

英文名稱：Low Power DDR2

中文名稱：二代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

存儲格式：DRAM

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：LPDDR2計劃用于智能手機、手機、PDA、GPS單元以及便攜式游戲機等移動產(chǎn)品。JEDEC稱其特征主要有三點。即（1）與此前標準（LPDDR）相比，加大了節(jié)能技術(shù)的支持；（2）非易失性內(nèi)存（閃存）和易失性內(nèi)存（SDRAM）可共用接口；（3）擴大了支持的內(nèi)存容量和特性范圍。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SAMSUNG(三星電子)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

什么是LPDDR2

LPDDR2計劃用于智能手機、手機、PDA、GPS單元以及便攜式游戲機等移動產(chǎn)品。JEDEC稱其特征主要有三點。即（1）與此前標準（LPDDR）相比，加大了節(jié)能技術(shù)的支持；（2）非易失性內(nèi)存（閃存）和易失性內(nèi)存（SDRAM）可共用接口；（3）擴大了支持的內(nèi)存容量和特性范圍。其主要內(nèi)容分別如下。首先關(guān)于（1）的節(jié)能技術(shù)，在接口（I/O）與內(nèi)部的電壓和內(nèi)部電壓兩方面，原來的LPDDR為+1.8V，而此次的LPDDR2還支持+1.2V。并且，還支持更新部分內(nèi)存陣列的“Partial Array Self Refresh”和“Per-Bank Refresh”。（2）中的閃存和SDRAM可共用接口此次還是首次。這樣可降低控制器的引腳數(shù)，提高內(nèi)存子系統(tǒng)周圍的安裝密度。（3）的內(nèi)存特性和容量方面，支持的工作頻率為100MHz～533MHz。數(shù)據(jù)位寬為×8、×16和×32。有2bit和4bit兩種。閃存容量為64Mbit～32Gbit，DRAM為64Mbit～8Gbit。

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