本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道，P溝道 通道數(shù)量：2頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：6.5 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：46毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：22 nC Pd-功率耗散：2 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：雙 高度：1.75毫米 長度：4.9毫米 晶體管類型：1 N通道，1 P通道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF7319TRPBF SP001563414 單位重量：540毫克 特征 •第五代技術(shù) •超低導(dǎo)通電阻 •雙N和P溝道MOSFET •表面貼裝 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。 這項優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用的器件設(shè)計相結(jié)合，為設(shè)計人員提供了一種非常有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 SO-8已通過定制的引線框架進(jìn)行了修改，以增強(qiáng)熱特性和多芯片能力，使其成為各種電源應(yīng)用的理想選擇。 通過這些改進(jìn)，可以在一塊板子空間大大減少的應(yīng)用中使用多種設(shè)備。 該封裝設(shè)計用于氣相，紅外或波峰焊技術(shù)。 最大絕對額定值 Symbol Maximum Units N-Channel P-Channel Drain-Source Voltage VOS 30 -30 V Gate-Source Voltage VGS 士 20 Continuous Drain CurrentCT TA = 25°C ID 6.5 -4.9 A TA = 70°C 5.2 -3.9 Pulsed Drain Current IOM 30 -30 Continuous Source Current (Diode Conduction) IS 2.5 -2.5 Maximum Power Dissipation CT TA = 25°C PD 2.0 w TA = 70°C 1.3 Single Pulse Avalanche Energy EAS 82 140 mJ Avalanche Current IAR 4.0 -2.8 A Repetitive Avalanche Energy EAR 0.20 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 0 dv/dt 5.0 -5.0 V/ ns Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG -55 to + 150 °C