本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：150 V Id-連續(xù)直流電流：1.9 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：280毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：30 V Qg-血漿甲醛：10 nC Pd-功率耗散：2.5 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：1.75毫米 長度：4.9毫米 MOSFET晶體管類型：1 N溝道 寬度：3.9毫米 商標：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF7465TRPBF SP001555398 單位重量：540毫克 應(yīng)用領(lǐng)域 •高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器 •無鉛 好處 •低柵極至漏極電荷以減少開關(guān)損耗 •全面表征的電容，包括有效的COSS來簡化設(shè)計（請參見應(yīng)用筆記AN1001） •完全表征的雪崩電壓和電流 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 1.9 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 1.5 IDM Pulsed Drain Current CD 15 PD @TA = 25°C Power Dissipation© 2.5 W Linear Derating Factor 0.02 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 30 V dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ® 7.8 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) 熱阻 Symbol Parameter Typ. Max. Units RqJL Junction-to-Drain Lead ––– 20 °C/W RqJA Junction-to-Ambient © ––– 50 雪崩特性 Parameter Typ. Max. Units EAS Single Pulse Avalanche Energy0 ––– 40 mJ IAR Avalanche CurrentCD ––– 1.9 A