H9HCNNN4KUMLHR-NMN SK Hynix (海力士)LPDDR4  原廠原裝

生產(chǎn)商：SK Hynix

規(guī)格型號：H9HCNNN4KUMLHR-NMN

英文名稱：Low Power DDR4

中文名稱：四代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

存儲格式：DRAM

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：LPDDR可以說是全球范圍內(nèi)最廣泛使用于移動設(shè)備的“工作記憶”內(nèi)存。Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一種，又稱為 mDDR(Mobile DDR SDRM),是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SAMSUNG(三星電子)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

LPDDR4的性能

由于輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的兩倍，新推出的8Gb LPDDR4內(nèi)存可以支持超高清影像的拍攝和播放,并能持續(xù)拍攝2000萬像素的高清照片。與LPDDR3內(nèi)存芯片相比，LPDDR4的運行電壓降為1.1伏，堪稱適用于大屏幕智能手機和平板電腦、高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的最低功耗存儲解決方案。以2GB內(nèi)存封裝為例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB內(nèi)存封裝，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB內(nèi)存封裝因運行電壓的降低和處理速度的提升，最大可節(jié)省40%的耗電量。同時，新產(chǎn)品的輸入/輸出信號傳輸采用三星獨有的低電壓擺幅終端邏輯(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不僅進一步降低了LPDDR4芯片的耗電量，并使芯片能在低電壓下進行高頻率運轉(zhuǎn)，實現(xiàn)了電源使用效率的最優(yōu)化。

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