DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13

制造商: Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.5 A, 7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 21 mOhms, 39 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 7.8 nC, 21.1 nC

小工作溫度: - 55 C

大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

系列: DMC3021  

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

商標(biāo): Diodes Incorporated  

下降時間: 8.55 ns, 22.2 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 4.5 ns, 6.5 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 26.3 ns, 50.1 ns  

典型接通延遲時間: 5 ns, 10.1 ns  

單位重量: 74 mg

制造商: Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.5 A, 7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 21 mOhms, 39 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 7.8 nC, 21.1 nC

小工作溫度: - 55 C

大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

系列: DMC3021  

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

商標(biāo): Diodes Incorporated  

下降時間: 8.55 ns, 22.2 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 4.5 ns, 6.5 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 26.3 ns, 50.1 ns  

典型接通延遲時間: 5 ns, 10.1 ns  

單位重量: 74 mg