BT136-600E TO-220 雙向可控硅
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BT136-600E TO-220 雙向可控硅
BT136-600E TO-220 雙向可控硅
BT136-600E TO-220 雙向可控硅

BT136-600E-TO-220-雙向可控硅

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聯(lián)系人 小琳/顏娜/小蔡

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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品介紹
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型號(hào) BT136-600E
品牌 NXP
封裝 TO-220
批號(hào) 17+
起訂量 1
數(shù)量 10000
商品介紹

BT136-600E BT136-600E BT136-600E BT136-600E


制造商: WeEn Semiconductors

產(chǎn)品種類: 雙向可控硅

RoHS:  詳細(xì)信息  

不重復(fù)通態(tài)電流: 27 A

額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM: 600 V

關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 100 uA

開啟狀態(tài)電壓: 1.7 V

保持電流Ih最大值: 15 mA

柵極觸發(fā)電壓-Vgt: 1.5 V

柵極觸發(fā)電流-Igt: 25 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

封裝: Rail

商標(biāo): WeEn Semiconductors  

產(chǎn)品類型: Triacs  

工廠包裝數(shù)量: 50  

子類別: Thyristors  

零件號(hào)別名: BT136-600E,127  

單位重量: 6 g


制造商: WeEn Semiconductors

產(chǎn)品種類: 雙向可控硅

RoHS:  詳細(xì)信息  

不重復(fù)通態(tài)電流: 27 A

額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM: 600 V

關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 100 uA

開啟狀態(tài)電壓: 1.7 V

保持電流Ih最大值: 15 mA

柵極觸發(fā)電壓-Vgt: 1.5 V

柵極觸發(fā)電流-Igt: 25 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

封裝: Rail

商標(biāo): WeEn Semiconductors  

產(chǎn)品類型: Triacs  

工廠包裝數(shù)量: 50  

子類別: Thyristors  

零件號(hào)別名: BT136-600E,127  

單位重量: 6 g


制造商: WeEn Semiconductors

產(chǎn)品種類: 雙向可控硅

RoHS:  詳細(xì)信息  

不重復(fù)通態(tài)電流: 27 A

額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM: 600 V

關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 100 uA



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公司名稱 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
聯(lián)系賣家 小琳/顏娜/小蔡 （QQ：611284370）
電話 ῧῦῤῤ-ῢ῟Ῠῥῥῦῢῥ
手機(jī) ῡ῟ῤῨῢΰ῟ῢ῟ΰΰ
傳真 ῧῦῤῤ-ῠῠῢῢ῟Ῠ῟ῧ
地址 廣東省深圳市