NT5TU128M8HE-BEI 供應(yīng)NANYA原裝DDR2
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NT5TU128M8HE-BEI-供應(yīng)NANYA原裝DDR2

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聯(lián)系人 李小姐

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商品介紹
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型號(hào) NT5TU128M8HE-BEI
品牌 NANYA
封裝 FBGA
容量 1Gb
包裝 托盤(pán)
存儲(chǔ)技術(shù) SDRAM-DDR
存儲(chǔ)格式 DRAM
存儲(chǔ)類型 易失
安裝類型 表面貼裝
數(shù)量 11200
商品介紹




NT5TU128M8HE-BEI NANYA(南亞) 原廠原裝



生產(chǎn)商:NANYA(南亞)

規(guī)格型號(hào):NT5TU128M8HE-BEI

英文名稱:DDR2 SDRAM

中文名稱:二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)格式:DRAM

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:FBGA-

原廠包裝:托盤(pán)

零件狀態(tài):批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途:汽車電子,臺(tái)式電腦,服務(wù)器,游戲機(jī),物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,便攜式電腦,智能電視,網(wǎng)絡(luò)通信,人工智能,虛擬現(xiàn)實(shí),增強(qiáng)現(xiàn)實(shí),移動(dòng)通信,工業(yè)控制,儀器儀表,安防監(jiān)控,移動(dòng)終端。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含NANYA(南亞)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲(chǔ)eMMC,eMCP等全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品。



DDR2


DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說(shuō),DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。此外,由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?;叵肫餌DR的發(fā)展歷程,從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過(guò)DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù),第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限,已經(jīng)很難通過(guò)常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展,前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來(lái)越高,擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。




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公司名稱 深圳記憶半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系賣家 李小姐 (QQ:1040180147)
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手機(jī) 잵잯잰잭잰잳재잯잯잵잭
傳真 재잳잯잯-잲잰잭재재잰잮잳
地址 廣東省深圳市