零件狀態(tài): 在售

FET 類(lèi)型: P 溝道

技術(shù): MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）: 70V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 3.8A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 160 毫歐 @ 2.1A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）: 18nC @ 10V

Vgs（最大值）: ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）: 635pF @ 40V

FET 功能: -

功率耗散（最大值）: 2.11W（Ta）

工作溫度: -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝: TO-252-3

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63