動態(tài)隨機(jī)存取存儲器MT40A1G16KNR-075-E
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商品介紹
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聯(lián)系方式
類型: SDRAM - DDR4
數(shù)據(jù)總線寬度: 16 bit
組織: 1 G x 16
封裝 FBGA-96
存儲容量: 16 Gbit
電源電壓-最大: 1.26 V
電源電壓-最小: 1.14 V
電源電流—最大值: 120 mA
數(shù)量 1500
商品介紹
產(chǎn)品屬性屬性值搜索類似制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器RoHS: 詳細(xì)信息 類型:SDRAM - DDR4數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit組織:1 G x 16封裝 / 箱體:FBGA-96存儲容量:16 Gbit電源電壓-最大:1.26 V電源電壓-最小:1.14 V電源電流—最大值:120 mA最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 95 C系列:MT40A封裝:Tray商標(biāo):Micron 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器安裝風(fēng)格:SMD/SMT 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1080 子類別:Memory & Data Storage 商標(biāo)名:TwinDie動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比,DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理,相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點(diǎn)。
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳國芯威科技有限公司
聯(lián)系賣家 趙小姐 (QQ:2355619871)
電話 㜉㜆㜄㜅㜃㜊㜊㜆㜉㜉㜆
手機(jī) 㜉㜆㜄㜅㜃㜊㜊㜆㜉㜉㜆
傳真 㜄㜋㜈㜈-㜇㜃㜅㜋㜅㜆㜌㜃-㜊㜇㜋㜆㜉㜄㜃㜄
網(wǎng)址 http://www.hkyxyjt.com
地址 廣東省深圳市