產(chǎn)品屬性屬性值搜索類似制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息 類型:SDRAM - DDR4數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit組織:1 G x 16封裝 / 箱體:FBGA-96存儲容量:16 Gbit電源電壓-最大:1.26 V電源電壓-最小:1.14 V電源電流—最大值:120 mA最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 95 C系列:MT40A封裝:Tray商標:Micron 動態(tài)隨機存取存儲器安裝風(fēng)格:SMD/SMT 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1080 子類別:Memory & Data Storage 商標名:TwinDie動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。