Diodes原裝現(xiàn)貨---DMN6068SE-13
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制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 68 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 10.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
系列: DMN6068
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值: 19.7 S
下降時間: 8.7 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 11.9 ns
典型接通延遲時間: 3.6 ns
單位重量: 240 mg
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