制造商: Diodes Incorporated 

產(chǎn)品種類: MOSFET 

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si 

安裝風(fēng)格: SMD/SMT 

封裝 / 箱體: SOT-223-3 

通道數(shù)量: 1 Channel 

晶體管極性: N-Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V 

Id-連續(xù)漏極電流: 5.6 A 

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 68 mOhms 

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V 

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V 

Qg-柵極電荷: 10.3 nC 

最小工作溫度: - 55 C 

最大工作溫度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 2 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

封裝: Tube 

系列: DMN6068  

晶體管類型: 1 N-Channel  

商標(biāo): Diodes Incorporated  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 19.7 S  

下降時(shí)間: 8.7 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 10.8 ns  

工廠包裝數(shù)量: 4000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 11.9 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 3.6 ns  

單位重量: 240 mg

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