IS43TR16128A-15HBL ISSI（芯成半導(dǎo)體） 原廠原裝 SDRAM-DDR3

生產(chǎn)商：ISSI（芯成半導(dǎo)體）

規(guī)格型號：IS43TR16128A-15HBL

英文名稱：DDR3 SDRAM

中文名稱：三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

存儲格式：DRAM

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-96

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：汽車電子，臺式電腦，服務(wù)器，游戲機，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，便攜式電腦，智能電視，網(wǎng)絡(luò)通信，人工智能，虛擬現(xiàn)實，增強現(xiàn)實，移動通信，工業(yè)控制，儀器儀表，安防監(jiān)控，移動終端。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含ISSI（芯成半導(dǎo)體）的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

DDR3

DDR3內(nèi)存采用8 bit 預(yù)取設(shè)計，較DDR2 4bit 的預(yù)取設(shè)計提升一倍，其運算頻率介于 800MHz -1600MHz之間。此外，DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在 1.5V ，較 DDR2 的 1.8V 更為省電，發(fā)熱量更小。此外，DDR3采用ASR(Automatic self-refresh) 的設(shè)計，以確保在數(shù)據(jù)不遺失情況下，盡量減少更新頻率來降低溫度。從整體規(guī)格上看，DDR3在設(shè)計思路上與DDR2的差別并不大，提高傳輸速率的方法仍然是提高預(yù)取位數(shù)。但是，就像DDR2和DDR的對比一樣，在相同的時鐘頻率下，DDR2與DDR3的數(shù)據(jù)帶寬是一樣的，只不過DDR3的速度提升潛力更大。

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