IS42VM16160K-75BLI  ISSI 芯成半導(dǎo)體LPSDR 原裝現(xiàn)貨

生產(chǎn)商：ISSI 芯成半導(dǎo)體
規(guī)格型號(hào)：IS42VM16160K-75BLI
中文名稱：低功耗同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
英文名稱：LPSDRAM

LPSDRAM 產(chǎn)品概述

雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱DDR SDRAM）為具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時(shí)脈的兩倍，由于速度增加，其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。 DDR SDRAM 在系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

JEDEC為DDR存儲(chǔ)器設(shè)立速度規(guī)范，并分為以下兩個(gè)部分：按內(nèi)存芯片分類和按內(nèi)存模塊分類。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù)，也就是在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。

價(jià)格說明

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